Tartalom
A "tranzisztor" szó az "átvitel" és a "varisztor" szavak kombinációja. A kifejezés leírja, hogy ezek az eszközök miként működtek a korai időkben. A tranzisztorok az elektronika legfontosabb építőelemei, ugyanúgy, mint a DNS az emberi genom építőeleme. Félvezetőknek vannak besorolva, és két általános típusba sorolhatók: bipoláris összekötő tranzisztor (BJT) és mezőtranzisztor (FET). Az előbbi áll a vita középpontjában.
A bipoláris Junction tranzisztorok típusai
A BJT elrendezéseknek két alapvető típusa van: NPN és PNP. Ezek a megjelölések a P-típusú (pozitív) és az N-típusú (negatív) félvezető anyagokra vonatkoznak, amelyekből az alkotóelemeket gyártják. Ezért az összes BJT két PN csomópontot tartalmaz, bizonyos sorrendben. Az NPN eszköznek, amint a neve is sugallja, egy P régiója van két N régió között. A diódák két csomópontja előre vagy hátra előfeszített lehet.
Ez az elrendezés összesen három összekötő terminált eredményez, amelyek mindegyikéhez hozzárendelésre kerül a funkciót meghatározó név. Ezeket emitternek (E), alapnak (B) és kollektornak (C) nevezzük. Az NPN tranzisztorral a kollektor az egyik N részhez, az alap az P részhez középen és az E a másik N részhez kapcsolódik. A P szegmens enyhén adalékolt, míg az N szegmens az emitter végén erősen adalékolt. Fontos szempont, hogy az NPN tranzisztor két N részét nem lehet cserélni, mivel geometriájuk teljesen különbözik. Előfordulhat, hogy egy NPN-eszközről földimogyoróvaj szendvicsként gondolunk, de az egyik kenyér szelet végdarab, a másik pedig kenyér közepén van, ezáltal az elrendezés kissé aszimmetrikus.
A kibocsátó közös jellemzői
Az NPN tranzisztorok lehetnek közös bázis (CB) vagy közös emitter (CE) konfigurációjúak, mindegyiknek megvan a maga különálló bemenetei és kimenetei. Közös emitterberendezésben külön bemeneti feszültségeket kell alkalmazni a P részre az alaptól (VLENNI) és a kollektor (VCE). V feszültségE ezután elhagyja az emittert, és belép az áramkörbe, amelynek az NPN tranzisztor része. A "közös emitter" elnevezés abból a tényből fakad, hogy a tranzisztor E része külön feszültségeket integrál a B résztől, és a C rész ezeket egy közös feszültségként adja ki.
Algebrai szempontból az áram- és a feszültségértékek ebben a beállításban a következőképpen kapcsolódnak:
Bemenet: IB = Én0 (eVBT/ VT - 1)
Teljesítés: Ic = βIB
Ahol β egy állandó, a belső tranzisztor tulajdonságaival kapcsolatban.